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新能源汽車車規(guī)芯片DFN封裝MOS場(chǎng)效應(yīng)管\大功率管 測(cè)試座_PDFN芯片老化座詳細(xì)信息/Detailed Information

新能源汽車車規(guī)芯片DFN封裝MOS場(chǎng)效應(yīng)管\大功率管 測(cè)試座_PDFN芯片老化座

該QFN產(chǎn)品系列主要應(yīng)用于新能源汽車車規(guī)芯片高低溫老化、性能測(cè)試使用
適用于PDFN、DFN、TO等封裝大電流大功率芯片、MOS管
常見(jiàn)的芯片有電源轉(zhuǎn)換芯片老化測(cè)試、動(dòng)力分配傳感器芯片老化測(cè)試、電源管理芯片老化測(cè)試
使用環(huán)境溫度最高可達(dá)到200℃≤85HR@3000小時(shí)
訂購(gòu)熱線:13631538587
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MOS大功率管測(cè)試座(夾具)特點(diǎn):
①測(cè)試座設(shè)計(jì)成翻蓋結(jié)構(gòu),使用測(cè)試簡(jiǎn)單方便,壓合平穩(wěn)接觸穩(wěn)定。
②測(cè)試座外殼采用陽(yáng)極硬氧鋁合金材質(zhì),表層絕緣耐磨、抗氧化強(qiáng)使用年限長(zhǎng)。
③測(cè)試座使用進(jìn)口雙頭探針接觸方式,相比同類測(cè)試產(chǎn)品使IC與PCB之間數(shù)據(jù)傳輸距離更短,從而使測(cè)試 更穩(wěn)定,頻率更高。
④測(cè)試(老化)PCB與Socket采用定位銷定位及防呆,采用螺絲連接、固定,拆卸、維護(hù)簡(jiǎn)單方便。

DFN封裝測(cè)試座(夾具)特性
①結(jié)構(gòu):翻蓋式;
②外殼材質(zhì):鋁合金;
③接觸方式及材質(zhì):雙頭探針,鈹銅鍍金;
④核心部件材質(zhì):peek陶瓷;
⑤額定電流:1A;
⑥操作壓力:30g、PIN越多壓力越大;
⑦接觸電阻:<100mΩ;
⑧環(huán)境溫度:-55℃~175℃;
⑨機(jī)械壽命:100000;


工廠介紹

鴻怡電子生產(chǎn)的該QFN產(chǎn)品系列主要應(yīng)用于新能源汽車車規(guī)芯片老化測(cè)試用, 適用于電源轉(zhuǎn)換芯片老化測(cè)試、動(dòng)力分配傳感器芯片老化測(cè)試、電源管理芯片老化測(cè)試,包含汽車EMC芯片老化測(cè)試、汽車氣壓控制芯片老化測(cè)試、汽車DSP控制器芯片老化測(cè)試、汽車液位檢測(cè)設(shè)備芯片老化測(cè)試、汽車ECU芯片老化測(cè)試、壓力傳感器芯片老化測(cè)試、汽車ASC芯片老化測(cè)試

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模塊引腳間距:1.2mm
適配模塊尺寸:45.8*41mm
接觸介質(zhì):探針
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生產(chǎn)品牌廠家:鴻怡電子—HMILU
芯片封裝形式:CSOP
芯片引腳:6pin
引腳間距:4.9mm
適配芯片尺寸:16.9*10.8*6.9mm
接觸介質(zhì):探針
測(cè)試座結(jié)構(gòu):翻蓋式
測(cè)試座材料:合金+PEEK

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