QFN測(cè)試座是什么？QFN測(cè)試座該如何選型？-鴻怡電子HMILU
在芯片封測(cè)行業(yè)市場(chǎng)上，QFN封裝芯片有3種測(cè)試，測(cè)試、燒錄、老化，即對(duì)應(yīng)QFN測(cè)試座、QFN燒錄座、QFN老化座。
HMILU案列：
QFN探針測(cè)試座
特點(diǎn)：
芯片引腳：64pin
芯片引腳間距：0.5mm
芯片尺寸：9×9mm
采用合金材料旋鈕方式，無縫隙壓合
QFN封裝具有良好的熱性能，QFN封裝底部有一個(gè)大面積的散熱焊盤，可以用來傳遞封裝芯片工作產(chǎn)生的熱量，從而有效地將熱量從芯片傳遞到芯片PCB上，PCB散熱焊盤和散熱過孔必須設(shè)計(jì)在底部，提供可靠的焊接面積，過孔提供散熱方式；PCB散熱孔能將多余的功耗擴(kuò)散到銅接地板上，吸收多余的熱量，從而大大提高芯片的散熱能力。
HMILU案列
QFN翻蓋合金測(cè)試座
特點(diǎn)：
芯片引腳：48pin
芯片引腳間距：0.4mm
芯片尺寸：6×6×0.85mm
采用翻蓋式合金材料
在鴻怡電子除提供行業(yè)應(yīng)用QFN測(cè)試座以外，還有行業(yè)全系各種芯片封裝測(cè)試座/老化座/燒錄座/芯片測(cè)試夾具/測(cè)試治具/配件/測(cè)試架等，根據(jù)需要隨需所定！
QFN老化測(cè)試座在室溫下，通常是指芯片在高溫、低溫、濕度、鹽度下的測(cè)試，以及長(zhǎng)期測(cè)試時(shí)的散熱效果。測(cè)試座塑料耐溫不變形或燃燒！在惡劣的環(huán)境下進(jìn)行老化測(cè)試。芯片老化測(cè)試決定了芯片設(shè)計(jì)后是否能面世；
HMILU案列
QFN探針老化座
特點(diǎn)
芯片引腳：32pin
芯片引腳間距：0.89mm
芯片尺寸：8.84×8.84mm
結(jié)構(gòu)：翻蓋式
材料：合金
老化溫度：+99°
QFN測(cè)試座、QFN老化座、QFN燒錄座，希望能幫助您進(jìn)一步了解芯片測(cè)試座。需要芯片測(cè)試座的朋友可以查詢搜索“鴻怡電子”或者“HMILU”！
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